FDMS86200 与 BSC190N15NS3 G 区别
| 型号 | FDMS86200 | BSC190N15NS3 G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-FDMS86200 | A-BSC190N15NS3 G |
| 制造商 | ON Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 2.5W(Ta),104W(Tc) | - |
| 宽度 | - | 5.15mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 18 毫欧 @ 9.6A,10V | 19mΩ@50A,10V |
| 上升时间 | - | 53ns |
| Qg-栅极电荷 | - | 31nC |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | - |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 29S |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN | TDSON-8-1 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 9.6A(Ta),35A(Tc) | 50A |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 5.9mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V | - |
| 下降时间 | - | 6ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2715pF @ 75V | - |
| 高度 | - | 1.27mm |
| 漏源极电压Vds | 150V | 150V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta),104W(Tc) | 125W |
| 典型关闭延迟时间 | - | 25ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | PowerTrench® | OptiMOS3 |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 75V | - |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2715pF @ 75V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 46nC @ 10V | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 15ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 46nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 1 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS86200 | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta),104W(Tc) 18m Ohms@9.6A,10V -55°C~150°C(TJ) Power N-Channel 150V 9.6A 9.6A(Ta),35A(Tc) 18 毫欧 @ 9.6A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerTDFN |
暂无价格 | 1 | 当前型号 | |
|
BSC190N15NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
150V 50A 19mΩ@50A,10V ±20V 125W -55°C~150°C N-Channel TDSON-8-1 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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